当前位置: 首页 > 国内资讯 >
开关晶体管,加速电容分析!
2020-05-15 23:17:05  来源:网络

开关晶体管,加速电容分析!

1.由于电荷储存效应,晶体管Be与RB之间有一个电容形成RC电路,时间常数对晶体管的导通和关断速度(即开关速度)有很大的影响。

2.加速电容作用。

主要结果如下:(1)当控制脉冲较低,电路达到稳态时,电容器两端的电压为零。

(2)当控制脉冲出现高电平时,由于电容电压不能改变,电容需要保持零,使晶体管基极b电压变为高电平,从而使晶体管能快速接通;电容被充电到脉冲电平电压;当它进入稳态时,电容电压就是脉冲电平电压。

(3)此后,当控制脉冲的低电平出现时,由于电容电压不能突然变化,必须保持脉冲电平电压,使基波电压从零(实际上是压降)跃升到负脉冲电平电压,晶体管从饱和状态迅速过渡到端态;此后,当电容通过r放电时,达到稳态时,两端电压为零。

(4)然后,重复上述过程。

1.典型的加速电容电路t491d475m050at图2显示了脉冲放大器(放大脉冲信号的放大器)中的加速电容电路。

电路中的VT1是一个晶体管和一个脉冲放大器。CL与RL平行,CL是加速电容。CL的作用是加快VT1的传导和截止的转换速度,因此称为加速电容。

二、电路工作原理分析

电路中的晶体管VT1工作在开关状态(等效于由开关加到晶体管VT1基座上的输入信号电压),UI是矩形脉冲信号。当u高时,晶体管VT1饱和,当UI低时,晶体管VT1被切断。

加速电容cl和晶体管VT1输入电阻ri构成图3(A)所示的等效电路。

主要结果如下:(1)加快传导过程。当输入信号电压UI从OV跃迁到高压时,由于电容器CL两端的电压不能突然变化,添加到VT1基座的电压是尖峰脉冲,其电压幅值最大,如图3(B)所示。当尖峰脉冲加入到VT1基极时,VT1基极的电流从Aa迅速增大到较大,使VT1从截止状态迅速进入饱和状态,从而加速VT1的饱和导通,即缩短VT1的饱和导通时间(晶体管从截止到饱和所需的时间)。

(2)维持导通过程。t0后,当输入信号电压UI增加到VT1基座时,当输入信号电压UI相对较小,且VT1的饱和导通状态保持时,CL充电迅速结束。

(3)加速截止过程;当输入信号电压u突然从高电平跳转到ov时,图3(B)中所示的tl时间,因为原来在cl上充电的电压的极性在左边是正的和负的,所以添加到VT1基座的电压是负尖峰脉冲。由于VT1基极的电压为负值,加速了从VT1基区提取电荷的过程。VT1以更快的速度将饱和状态转换为截止状态,也就是说,它缩短了从VT1到截止状态的过渡时间。

由于接入电容cl,vt1以更快的速度进入饱和状态,也以更快的速度进入截止状态,可见电容cl可以加速VT1的工作转换,因此cl称为加速电容。


上一篇:谈谈三国有趣的故事,看看5G光谱的发展趋势。
下一篇:最后一页